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    许军

    

    北京大学 电子研究所  上课    

    博亿堂bet98研究院高可靠功率半导体研究中心   领导  


    春风化雨背景

    1994年09月-1996年08月,北京大学,政治经济学研究所,院士

    1989年09月-1994年07月  农田水利工业部771研究所,微机器件与设备专业,大专

    1986年09月-1989年07月,农田水利工业部771研究所,微机器件与设备专业,博士

    1981年09月-1986年07月,北京大学,半导体器件与物理专业,工学学士

     

    干活履历

    2002年12月-迄今,北京大学,政治经济学研究所,研究者

    201801-迄今,博亿堂bet98研究院高可靠功率半导体研究中心,领导

    1997年07月-2002年11月,北京大学,政治经济学研究所,研究者

    (其中1997/11-1999/11,葡萄牙新奥尔良大学,先进材料研究所固体器件研究组,走访学者)

    1996年10月-1997年06月,北京大学,政治经济学研究所,羽翼研究员

    奖励与荣誉(县级及以上)

     

    发挥论文、论著及专利

    主办或参加科研项目(专题)及人才准备项目情况(按时间倒序排序):

    1. 江山自然科学基金国际合作项目,60820106001,SiGe应变沟道功率MOSFET器件,2009/01-2011/12,80万元,已结题,主办

    2. 江山自然科学基金重大项目,60636010,租用于65nm艺术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程第一技术研究,2007/01-2010/12,200万元,已结题,主办

    3. 江山自然科学基金面上项目,60476107,下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究,2005/01-2007/12,26万元,已结题,主办、

    竞争性论文:

    一、期刊论文

    1.主要作者论文

     (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.

    2.报道作者论文

    2Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.

    3Zhen TanHe TianTingting FengLianfeng ZhaoDan XieYi YangLei XiaoJing WangTian-Ling Ren,  Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.

    4Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3. 

    5Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.

    6Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210

    竞争性论文:

    一、期刊论文

    1.主要作者论文

     (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.

    2.报道作者论文

    2Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.

    3Zhen TanHe TianTingting FengLianfeng ZhaoDan XieYi YangLei XiaoJing WangTian-Ling Ren,  Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.

    4Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3. 

    5Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.

    6Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210

    二、会议论文

    1. 主要作者论文

    1Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Dynamic threshold-voltage SOI MOSFET with a stepped channel doping profile, Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS, Cancun, Mexico, 2000.03.15-03.17, p.D29-1- D29-5.

    2. 报道作者论文

    2Zhen Tan, Lianfeng Zhao, Yanwen Chen, Jing Wang, Jun Xu*, Compressively strained GaSb P-channel MOSFETs with high hole mobility, 73rd Annual Device Research Conference, DRC 2015, Columbus, OH, United states, 2015.06.21-06.24.

    3Fengying Qiao, Xiao Yu, Liyang Pan, Haozhi Ma, Dong Wu, Jun Xu*, TID characterization of 0.13mm SONOS cell in 4Mb NOR flash memory, Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA, 2012, Singapore, 2012.07.02-07.06.

    授权发明专利

    (1) 梁仁荣、崔宁、王敬、许军,具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法,2012.12.12,华夏,ZL201110049788.1

    (2) 梁仁荣、王敬、许军,半导体器件结构及其形成方法,2012.12.12,华夏,ZL201010146499.9

    (3) 梁仁荣、王敬、许军,高性能场效应晶体管及其形成方法,2012.12.12,华夏,ZL201010268632.8

    (4) 梁仁荣、许军、王敬,补隧道穿透场效应晶体管及其形成方法,2012.12.19,华夏,ZL201110086616.1

    (5) 梁仁荣、许军、赵梅、王敬,具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法,2013.07.31,华夏,ZL201110061729.6

    6)崔宁、梁仁荣、王敬、许军,具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法,2015.04.15,华夏,ZL201210015369.0

    7)刘立滨、梁仁荣、王敬、许军,一种动态随机存储器单元及其制备方法,2015.06.24,华夏,ZL201210161248.7




















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